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晶体管
IGBT
IGBT 模块
工作温度:
-
(3)
-40°C ~ 150°C(TJ)
(1)
封装/外壳:
D1
(3)
SP4
(1)
供应商器件封装:
D1
(3)
SP4
(1)
配置:
升压斩波器,全桥
(1)
半桥
(1)
单路
(2)
功率 - 最大值:
140 W
(3)
156 W
(1)
IGBT 类型:
NPT,沟槽型场截止
(1)
沟槽型场截止
(3)
电流 - 集电极截止(最大值):
250 µA
(1)
5 mA
(3)
已选条件:
IGBT 模块
NTC 热敏电阻 : 无
不同 Vce 时输入电容 (Cies) : 1.8 nF @ 25 V
4 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTGT25A120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 4...
1
2,000
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APTGT25DA120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 4...
1
2,000
加入询价
APTGT25SK120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 4...
1
2,000
加入询价
APTGV25H120BG
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 4...
1
2,000
加入询价
APTGT25A120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT25DA120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT25SK120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGV25H120BG
Microsemi
-
库存 : 2,000
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