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IGBT 模块
封装/外壳:
D1
(2)
SP2
(1)
SP6
(1)
供应商器件封装:
D1
(2)
SP2
(1)
SP6-P
(1)
配置:
三,双 - 共源
(1)
半桥
(1)
单路
(2)
电压 - 集射极击穿(最大值):
1200 V
(3)
600 V
(1)
功率 - 最大值:
357 W
(3)
416 W
(1)
IGBT 类型:
NPT
(1)
沟槽型场截止
(3)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,75A
(3)
2.5V @ 15V,90A
(1)
电流 - 集电极截止(最大值):
250 µA
(1)
4 mA
(2)
50 µA
(1)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
4.3 nF @ 25 V
(1)
5.34 nF @ 25 V
(1)
5.345 nF @ 25 V
(2)
已选条件:
IGBT 模块
NTC 热敏电阻 : 无
工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) : 110 A
4 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTGF90TDU60PG
Microsemi
IGBT MODULE 600V 11...
1
2,000
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APTGT75DA120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGT75SK120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGT75A1202G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGF90TDU60PG
Microsemi
-
库存 : 2,000
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APTGT75DA120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT75SK120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT75A1202G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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