- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 电流 - 集电极截止（最大值）：
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7 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 1200V 187A 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 100A 3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MODULE 1200V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MODULE 650V 13... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MODULE 1200V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MODULE 1200V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 30A 20... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
