- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 电压 - 集射极击穿(最大值):
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
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- 电流 - 集电极截止(最大值):
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- 不同 Vce 时输入电容 (Cies):
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- 已选条件:
5 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 600V 109A E... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 1200V 61A E... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 650V 142A E... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | LOW POWER EASY |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | LOW POWER EASY |
1 | 2,000 | 加入询价 |