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IGBT
IGBT 模块
品牌:
Infineon Technologies
(1)
Microsemi
(3)
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工作温度:
-
(3)
-40°C ~ 125°C
(1)
封装/外壳:
D1
(3)
模块
(1)
供应商器件封装:
D1
(3)
模块
(1)
配置:
三相反相器
(1)
半桥
(1)
单路
(2)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
200 A
(1)
220 A
(3)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.15V @ 15V,150A
(1)
2.1V @ 15V,150A
(3)
电流 - 集电极截止(最大值):
4 mA
(3)
5 mA
(1)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
10.5 nF @ 25 V
(1)
10.8 nF @ 25 V
(3)
NTC 热敏电阻:
无
(3)
是
(1)
已选条件:
IGBT 模块
输入 : 标准
IGBT 类型 : 沟槽型场截止
功率 - 最大值 : 700 W
4 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
FS150R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
IGBT MOD 1200V 200A 7...
1
1
加入询价
APTGT150A120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 2...
1
2,000
加入询价
APTGT150DA120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 2...
1
2,000
加入询价
APTGT150SK120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 2...
1
2,000
加入询价
FS150R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
-
库存 : 1
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APTGT150A120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT150DA120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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APTGT150SK120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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