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晶体管
IGBT
IGBT 模块
工作温度:
-
(2)
-40°C ~ 150°C(TJ)
(2)
电压 - 集射极击穿(最大值):
1200 V
(2)
1700 V
(2)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
120 A
(2)
150 A
(2)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,100A
(2)
2.4V @ 15V,75A
(2)
电流 - 集电极截止(最大值):
3 mA
(2)
5 mA
(2)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
6.5 nF @ 25 V
(2)
7 nF @ 25 V
(2)
已选条件:
IGBT 模块
输入 : 标准
功率 - 最大值 : 520 W
配置 : 单路
4 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTGT100DA120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGT100SK120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGT75DA170D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1700V 1...
1
2,000
加入询价
APTGT75SK170D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1700V 1...
1
2,000
加入询价
APTGT100DA120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT100SK120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT75DA170D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT75SK170D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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