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IGBT
IGBT 模块
品牌:
Infineon Technologies
(1)
Microsemi
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工作温度:
-
(1)
-40°C ~ 150°C
(1)
-40°C ~ 150°C(TJ)
(2)
封装/外壳:
D1
(3)
模块
(1)
供应商器件封装:
D1
(3)
模块
(1)
配置:
全桥
(1)
半桥
(1)
单路
(2)
功率 - 最大值:
515 W
(1)
520 W
(3)
电流 - 集电极截止(最大值):
1 mA
(1)
3 mA
(3)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
6.2 nF @ 25 V
(1)
7 nF @ 25 V
(3)
NTC 热敏电阻:
无
(3)
是
(1)
已选条件:
IGBT 模块
输入 : 标准
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) : 150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) : 2.1V @ 15V,100A
4 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
IFS100B12N3E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
IGBT MOD 1200V 150A 5...
1
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APTGT100A120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGT100DA120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGT100SK120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
IFS100B12N3E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
-
库存 : 2,000
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APTGT100A120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT100DA120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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-
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