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三级反相器
(1)
全桥反相器
(2)
半桥
(1)
NTC 热敏电阻:
无
(1)
是
(4)
已选条件:
IGBT 模块
不同 Vce 时输入电容 (Cies) : 1.35 nF @ 25 V
电流 - 集电极截止(最大值) : 250 µA
5 条记录
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型号
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APTGF30A60T1G
Microsemi
IGBT MODULE 600V 42...
1
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APTGF30H60T1G
Microchip Technology
IGBT MODULE 600V 42...
1
2,000
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APTGF30H60T3G
Microchip Technology
IGBT MODULE 600V 42...
1
2,000
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APTGF30X60T3G
Microsemi
IGBT MODULE 600V 42...
1
2,000
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APTGF30TL601G
Microsemi
IGBT MODULE 600V 42...
1
2,000
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APTGF30A60T1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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APTGF30H60T1G
Microchip Technology
-
库存 : 2,000
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APTGF30H60T3G
Microchip Technology
-
库存 : 2,000
询价
APTGF30X60T3G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGF30TL601G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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