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配置:
半桥
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电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
130 A
(3)
135 A
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功率 - 最大值:
568 W
(1)
657 W
(1)
735 W
(1)
780 W
(1)
NTC 热敏电阻:
无
(1)
是
(3)
已选条件:
IGBT 模块
不同 Vce 时输入电容 (Cies) : 6.5 nF @ 25 V
电压 - 集射极击穿(最大值) : 1200 V
电流 - 集电极截止(最大值) : 250 µA
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APTGF100DA120T1G
Microchip Technology
IGBT MODULE 1200V 1...
1
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APTGF100A120T3WG
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
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APTGF100A1202G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
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APTGF100A120T3AG
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
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APTGF100DA120T1G
Microchip Technology
-
库存 : 2,000
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APTGF100A120T3WG
Microsemi
-
库存 : 2,000
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APTGF100A1202G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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APTGF100A120T3AG
Microsemi
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库存 : 2,000
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