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IGBT
IGBT 模块
工作温度:
-
(1)
-40°C ~ 175°C(TJ)
(1)
配置:
升压斩波器,全桥
(1)
非对称桥
(1)
IGBT 类型:
NPT,沟槽型场截止
(1)
沟槽型场截止
(1)
NTC 热敏电阻:
无
(1)
是
(1)
已选条件:
IGBT 模块
不同 Vce 时输入电容 (Cies) : 3.15 nF @ 25 V
功率 - 最大值 : 176 W
供应商器件封装 : SP4
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTGT50DH60TG
Microsemi
IGBT MODULE 600V 80...
1
2,000
加入询价
APTGV50H60BG
Microsemi
IGBT MODULE 600V 80...
1
2,000
加入询价
APTGT50DH60TG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGV50H60BG
Microsemi
-
库存 : 2,000
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