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IGBT
IGBT 模块
品牌:
Infineon Technologies
(1)
SemiQ
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工作温度:
-40°C ~ 150°C
(1)
-40°C ~ 150°C(TJ)
(2)
封装/外壳:
POWIR® 62 模块
(1)
模块
(2)
供应商器件封装:
POWIR® 62
(1)
模块
(2)
配置:
三相反相器
(2)
半桥
(1)
功率 - 最大值:
1087 W
(2)
1250 W
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,150A
(2)
3.5V @ 15V,200A
(1)
电流 - 集电极截止(最大值):
1 mA
(2)
3 mA
(1)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
21.2 nF @ 25 V
(2)
22.7 nF @ 25 V
(1)
输入:
三相桥式整流器
(1)
标准
(2)
NTC 热敏电阻:
无
(1)
是
(2)
已选条件:
IGBT 模块
IGBT 类型 : -
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) : 285 A
3 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
IRG5U200HF12B
Infineon Technologies
IGBT MOD 1200V 285A P...
1
2,000
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GSID150A120S5C1
SemiQ
IGBT MOD 1200V 285A 1...
1
2,000
加入询价
GSID150A120T2C1
SemiQ
IGBT MOD 1200V 285A 1...
1
2,000
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IRG5U200HF12B
Infineon Technologies
-
库存 : 2,000
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GSID150A120S5C1
SemiQ
-
库存 : 2,000
询价
GSID150A120T2C1
SemiQ
-
库存 : 2,000
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