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IGBT
IGBT 模块
安装类型:
底座安装
(4)
通孔
(1)
封装/外壳:
SP2
(4)
模块
(1)
配置:
全桥
(1)
半桥
(4)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
110 A
(1)
140 A
(1)
220 A
(1)
50 A
(1)
75 A
(1)
功率 - 最大值:
165 W
(1)
277 W
(1)
357 W
(1)
480 W
(1)
690 W
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,100A
(1)
2.1V @ 15V,150A
(1)
2.1V @ 15V,50A
(1)
2.1V @ 15V,75A
(1)
2.42V @ 15V,25A
(1)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
1.43 nF @ 25 V
(1)
10.7 nF @ 25 V
(1)
3.6 nF @ 25 V
(1)
5.34 nF @ 25 V
(1)
7.2 nF @ 25 V
(1)
NTC 热敏电阻:
无
(4)
是
(1)
已选条件:
IGBT 模块
IGBT 类型 : 沟槽型场截止
供应商器件封装 : SP2
工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ)
5 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTGT100A1202G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGT150A1202G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 2...
1
2,000
加入询价
APTGT50A1202G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 7...
1
2,000
加入询价
APTGT75A1202G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGLQ25H120T2G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 5...
1
2,000
加入询价
APTGT100A1202G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT150A1202G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT50A1202G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT75A1202G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGLQ25H120T2G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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