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Infineon Technologies
(10)
Microchip Technology
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工作温度:
-40°C ~ 125°C
(2)
-40°C ~ 125°C(TJ)
(1)
-40°C ~ 175°C(TJ)
(13)
125°C(TJ)
(6)
封装/外壳:
SP1
(3)
SP3
(1)
SP4
(6)
SP6
(2)
模块
(10)
供应商器件封装:
-
(1)
AG-XHP3K65
(6)
SP1
(3)
SP3
(1)
SP4
(6)
SP6-P
(2)
模块
(3)
配置:
2 个独立式
(6)
Three Phase
(1)
三,双 - 共源
(1)
全桥反相器
(1)
半桥
(4)
半桥逆变器
(1)
单斩波器
(2)
单路
(4)
双,共源
(1)
非对称桥
(1)
电压 - 集射极击穿(最大值):
1200 V
(3)
1700 V
(1)
5900 V
(6)
600 V
(12)
功率 - 最大值:
1000 kW
(5)
1000000 W
(1)
20 mW
(1)
480 W
(11)
600 W
(1)
780 W
(3)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.85V @ 15V,225A
(1)
1.9V @ 15V,150A
(12)
2.15V @ 15V,150A
(3)
3.4V @ 15V,225A
(6)
电流 - 集电极截止(最大值):
250 µA
(12)
5 mA
(10)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
11 nF @ 25 V
(2)
11000 pF @ 25 V
(1)
22.9 nF @ 25 V
(1)
65.6 nF @ 25 V
(6)
9.2 nF @ 25 V
(12)
NTC 热敏电阻:
无
(11)
是
(11)
已选条件:
IGBT 模块
IGBT 类型 : 沟槽型场截止
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) : 225 A
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APTGT150DU60TG
Microsemi
IGBT MODULE 600V 22...
1
2,000
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APTGT150SK60TG
Microsemi
IGBT MODULE 600V 22...
1
2,000
加入询价
APTGT150DU60TG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT150SK60TG
Microsemi
-
库存 : 2,000
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