- 电压 - 集射极击穿(最大值):
-
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
-
- IGBT 类型:
-
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
-
- 电流 - 集电极截止(最大值):
-
- 不同 Vce 时输入电容 (Cies):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Microchip Technology | IGBT MODULE 1200V 7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | IGBT MODULE 1200V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | IGBT MODULE 1200V 3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MODULE 600V 3P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MODULE 600V 7.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MODULE 600V 3P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MODULE 600V 11... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MODULE 600V 13... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MODULE 600V 27... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MODULE 600V 20... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MODULE 600V 8.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |