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IGBT
IGBT 模块
配置:
全桥反相器
(1)
半桥
(2)
电压 - 集射极击穿(最大值):
1200 V
(1)
600 V
(2)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100 A
(1)
220 A
(1)
290 A
(1)
功率 - 最大值:
250 W
(1)
625 W
(1)
750 W
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.9V @ 15V,200A
(1)
1.9V @ 15V,75A
(1)
2.2V @ 15V,150A
(1)
电流 - 集电极截止(最大值):
250 µA
(1)
300 µA
(1)
50 µA
(1)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
12.3 nF @ 25 V
(1)
4.62 nF @ 25 V
(1)
9.3 nF @ 25 V
(1)
NTC 热敏电阻:
无
(2)
是
(1)
已选条件:
IGBT 模块
安装类型 : 底座安装
工作温度 : -40°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳 : SP2
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTGL180A1202G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 2...
1
2,000
加入询价
APTGT200A602G
Microsemi
IGBT MODULE 600V 29...
1
2,000
加入询价
APTGT75H60T2G
Microsemi
IGBT MODULE 600V 10...
1
2,000
加入询价
APTGL180A1202G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT200A602G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT75H60T2G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
*
型号:
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