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晶体管
IGBT
IGBT 模块
安装类型:
底座安装
(4)
通孔
(2)
工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
(4)
-40°C ~ 175°C(TJ)
(2)
电压 - 集射极击穿(最大值):
1200 V
(4)
600 V
(2)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
110 A
(1)
140 A
(1)
150 A
(1)
220 A
(1)
290 A
(1)
75 A
(1)
功率 - 最大值:
277 W
(1)
340 W
(1)
357 W
(1)
480 W
(1)
625 W
(1)
690 W
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.9V @ 15V,100A
(1)
1.9V @ 15V,200A
(1)
2.1V @ 15V,100A
(1)
2.1V @ 15V,150A
(1)
2.1V @ 15V,50A
(1)
2.1V @ 15V,75A
(1)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
10.7 nF @ 25 V
(1)
12.3 nF @ 25 V
(1)
3.6 nF @ 25 V
(1)
5.34 nF @ 25 V
(1)
6.1 nF @ 25 V
(1)
7.2 nF @ 25 V
(1)
已选条件:
IGBT 模块
供应商器件封装 : SP2
封装/外壳 : SP2
电流 - 集电极截止(最大值) : 50 µA
6 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTGT200A602G
Microsemi
IGBT MODULE 600V 29...
1
2,000
加入询价
APTGT100A1202G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGT100A602G
Microsemi
IGBT MODULE 600V 15...
1
2,000
加入询价
APTGT150A1202G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 2...
1
2,000
加入询价
APTGT50A1202G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 7...
1
2,000
加入询价
APTGT75A1202G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGT200A602G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT100A1202G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT100A602G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT150A1202G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT50A1202G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT75A1202G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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