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IGBT
IGBT 模块
电压 - 集射极击穿(最大值):
1200 V
(1)
600 V
(1)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
150 A
(1)
75 A
(1)
功率 - 最大值:
270 W
(1)
340 W
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.9V @ 15V,100A
(1)
2.1V @ 15V,50A
(1)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
3.6 nF @ 25 V
(1)
6.1 nF @ 25 V
(1)
已选条件:
IGBT 模块
供应商器件封装 : SP6-P
工作温度 : -
配置 : 升压斩波器,全桥
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTGV100H60BTPG
Microsemi
IGBT MODULE 600V 15...
1
2,000
加入询价
APTGV50H120BTPG
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 7...
1
2,000
加入询价
APTGV100H60BTPG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGV50H120BTPG
Microsemi
-
库存 : 2,000
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