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IGBT
IGBT 模块
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
110 A
(1)
150 A
(1)
220 A
(1)
40 A
(1)
55 A
(1)
75 A
(1)
功率 - 最大值:
140 W
(1)
205 W
(1)
270 W
(1)
357 W
(1)
520 W
(1)
700 W
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,100A
(1)
2.1V @ 15V,150A
(1)
2.1V @ 15V,25A
(1)
2.1V @ 15V,35A
(1)
2.1V @ 15V,50A
(1)
2.1V @ 15V,75A
(1)
电流 - 集电极截止(最大值):
3 mA
(1)
4 mA
(2)
5 mA
(3)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
1.8 nF @ 25 V
(1)
10.8 nF @ 25 V
(1)
2.5 nF @ 25 V
(1)
3.6 nF @ 25 V
(1)
5.345 nF @ 25 V
(1)
7 nF @ 25 V
(1)
已选条件:
IGBT 模块
封装/外壳 : D1
配置 : 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值) : 1200 V
6 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTGT100A120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGT150A120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 2...
1
2,000
加入询价
APTGT25A120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 4...
1
2,000
加入询价
APTGT35A120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 5...
1
2,000
加入询价
APTGT50A120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 7...
1
2,000
加入询价
APTGT75A120D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGT100A120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT150A120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT25A120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT35A120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT50A120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT75A120D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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