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分立半导体产品
晶体管
IGBT
IGBT 模块
安装类型:
底座安装
(3)
通孔
(1)
工作温度:
-
(3)
-40°C ~ 175°C(TJ)
(1)
配置:
全桥
(1)
全桥反相器
(3)
电压 - 集射极击穿(最大值):
1200 V
(2)
600 V
(2)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100 A
(1)
40 A
(2)
80 A
(1)
功率 - 最大值:
176 W
(1)
208 W
(1)
227 W
(1)
250 W
(1)
IGBT 类型:
NPT
(1)
NPT 型和场截止型
(1)
沟槽型场截止
(2)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.9V @ 15V,50A
(1)
1.9V @ 15V,75A
(1)
2.1V @ 15V,25A
(1)
3.7V @ 15V,25A
(1)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
1.65 nF @ 25 V
(1)
2.02 nF @ 25 V
(1)
3.15 nF @ 25 V
(1)
4.62 nF @ 25 V
(1)
已选条件:
IGBT 模块
封装/外壳 : SP2
NTC 热敏电阻 : 是
4 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTGFQ25H120T2G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 4...
1
2,000
加入询价
APTGT75H60T2G
Microsemi
IGBT MODULE 600V 10...
1
2,000
加入询价
APTGF25H120T2G
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 4...
1
2,000
加入询价
APTGT50H60T2G
Microsemi
IGBT MODULE 600V 80...
1
2,000
加入询价
APTGFQ25H120T2G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT75H60T2G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGF25H120T2G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT50H60T2G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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