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IGBT
IGBT 模块
品牌:
Microchip Technology
(1)
Microsemi
(2)
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工作温度:
-
(2)
-40°C ~ 175°C(TJ)
(1)
配置:
Three Phase
(1)
升压斩波器,全桥
(2)
电压 - 集射极击穿(最大值):
1200 V
(2)
600 V
(1)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
140 A
(1)
150 A
(1)
75 A
(1)
功率 - 最大值:
270 W
(1)
340 W
(1)
517 W
(1)
IGBT 类型:
NPT,沟槽型场截止
(2)
沟槽型场截止
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.9V @ 15V,100A
(1)
2.15V @ 15V,100A
(1)
2.1V @ 15V,50A
(1)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
3.6 nF @ 25 V
(1)
6.1 nF @ 25 V
(1)
6.2 nF @ 25 V
(1)
已选条件:
IGBT 模块
封装/外壳 : SP6
安装类型 : 底座安装
NTC 热敏电阻 : 是
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTGL120TA120TPG
Microchip Technology
IGBT MODULE 1200V 1...
1
2,000
加入询价
APTGV100H60BTPG
Microsemi
IGBT MODULE 600V 15...
1
2,000
加入询价
APTGV50H120BTPG
Microsemi
IGBT MODULE 1200V 7...
1
2,000
加入询价
APTGL120TA120TPG
Microchip Technology
-
库存 : 2,000
询价
APTGV100H60BTPG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGV50H120BTPG
Microsemi
-
库存 : 2,000
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