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配置:
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电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100 A
(1)
150 A
(2)
65 A
(1)
80 A
(2)
功率 - 最大值:
176 W
(2)
250 W
(2)
340 W
(2)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.9V @ 15V,100A
(2)
1.9V @ 15V,50A
(2)
1.9V @ 15V,75A
(1)
2.45V @ 15V,50A
(1)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
2.2 nF @ 25 V
(1)
3.15 nF @ 25 V
(2)
4.62 nF @ 25 V
(1)
6.1 nF @ 25 V
(2)
NTC 热敏电阻:
无
(1)
是
(5)
已选条件:
IGBT 模块
电压 - 集射极击穿(最大值) : 600 V
IGBT 类型 : NPT,沟槽型场截止
工作温度 : -
6 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTGV100H60BTPG
Microsemi
IGBT MODULE 600V 15...
1
2,000
加入询价
APTGV100H60T3G
Microsemi
IGBT MODULE 600V 15...
1
2,000
加入询价
APTGV50H60BG
Microsemi
IGBT MODULE 600V 80...
1
2,000
加入询价
APTGV50H60T3G
Microsemi
IGBT MODULE 600V 80...
1
2,000
加入询价
APTGV75H60T3G
Microsemi
IGBT MODULE 600V 10...
1
2,000
加入询价
APTGV50H60BT3G
Microsemi
IGBT MODULE 600V 65...
1
2,000
加入询价
APTGV100H60BTPG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGV100H60T3G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGV50H60BG
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGV50H60T3G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGV75H60T3G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGV50H60BT3G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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