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晶体管
IGBT
IGBT 模块
工作温度:
-
(1)
-40°C ~ 150°C(TJ)
(5)
配置:
半桥
(2)
单路
(4)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
200 A
(3)
45 A
(3)
功率 - 最大值:
210 W
(3)
695 W
(3)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,100A
(3)
2.4V @ 15V,30A
(3)
不同 Vce 时输入电容 (Cies):
2.5 nF @ 25 V
(3)
8.5 nF @ 25 V
(3)
已选条件:
IGBT 模块
电压 - 集射极击穿(最大值) : 1700 V
电流 - 集电极截止(最大值) : 3 mA
供应商器件封装 : D1
6 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTGT100A170D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1700V 2...
1
2,000
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APTGT100DA170D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1700V 2...
1
2,000
加入询价
APTGT100SK170D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1700V 2...
1
2,000
加入询价
APTGT30A170D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1700V 4...
1
2,000
加入询价
APTGT30DA170D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1700V 4...
1
2,000
加入询价
APTGT30SK170D1G
Microsemi
IGBT MODULE 1700V 4...
1
2,000
加入询价
APTGT100A170D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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APTGT100DA170D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT100SK170D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT30A170D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT30DA170D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTGT30SK170D1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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