- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 电流 - 集电极截止（最大值）：
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22 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | LOW POWER ECONO A... |
1 | 15 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER ECONO A... |
1 | 8 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER ECONO A... |
1 | 12 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 75A 27... |
1 | 4 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER ECONO |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 105A 3... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MODULE 1200V S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 600V 88A 338... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 1200V 61A E... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 1200V 22A 89... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 1200V 100A E... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MODULE 600V 12... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 130A P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 600V 138A 12... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1600V 70A 50... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 650V 450A 11... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 100A 3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 200A 7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MODULE 1700V 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 2560A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
