- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 电流 - 集电极截止（最大值）：
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17 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 140A 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 100A 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 116A 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 112A 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 116A 5... |
1 | 5 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 55A 26... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 55A 26... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 112A 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 100A 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 84A 41... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 140A 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MOD 600V 195A 50... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 75A 34... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 75A 34... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 600V 100A 25... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MODULE 600V 78... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 600V 200A 50... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
