- 品牌:
-
- Microsemi (11)
- 工作温度:
-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
-
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
-
- 功率 - 最大值:
-
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
-
- 不同 Vce 时输入电容 (Cies):
-
16 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi | IGBT MODULE 1200V 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | IGBT MODULE 600V 23... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | IGBT MODULE 1200V 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | IGBT MODULE 600V 42... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | IGBT MODULE 1200V 7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | IGBT MODULE 1200V 7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | IGBT MODULE 600V 65... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | IGBT MODULE 600V 11... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | IGBT MODULE 600V 11... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | IGBT MODULE 1200V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | IGBT MODULE 1200V 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | IGBT MODULE 1200V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | IGBT MODULE 1200V 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | IGBT MODULE 1200V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MODULE 1200V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MODULE 1200V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 |