- 品牌:
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- 电压 - 集射极击穿(最大值):
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
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- 电流 - 集电极截止(最大值):
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- 不同 Vce 时输入电容 (Cies):
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- 已选条件:
7 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 112A 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 112A 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | IGBT MOD 1200V 84A 41... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | IGBT MODULE 1200V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 600V 400A 96... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 1200V 149A 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 600V 147A 62... |
1 | 2,000 | 加入询价 |