- 品牌：
-
- ON Semiconductor (10)
- STMicroelectronics (12)
- Littelfuse (18)
- Microsemi (2)
- 安装类型：
-
- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
-
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
-
- 功率 - 最大值：
-
- 测试条件：
-
- IGBT 类型：
-
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
-
- 开关能量：
-
- 栅极电荷：
-
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-
70 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | IGBT 1350V 40A TO247-3 |
1 | 163 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 217W TO... |
1 | 443 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | INDUSTRY 14 |
1 | 139 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT TRENCH |
1 | 205 | 加入询价 | |
|
|
Micro Commercial Components (MCC) | IGBT 1200V 15A,TO-247A... |
1 | 1,796 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 1,992 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | IGBT 600V 40A 130W TO... |
1 | 957 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 76 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | IGBT 600V 30A 170W TO... |
1 | 94 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | IGBT FIELD STOP 6... |
1 | 154 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IGBT 650V 42A TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | IGBT H-SERIES 1200V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | IGBT 600V 15A 55W DPA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Littelfuse | IGBT 1200V 22A 100W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | IGBT 600V 40A 167W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | IGBT 600V 40A 167W D2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 |
