- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 电压 - 集射极击穿(最大值):
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- IGBT 类型:
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
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- 开关能量:
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- 栅极电荷:
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2 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ON Semiconductor | IGBT 650V 150A 375W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DISCRETE IGBT TR... |
1 | 2,000 | 加入询价 |