- 品牌：
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- ON Semiconductor (2)
- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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8 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 25 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | IGBT 600V 50A 240W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | IGBT 600V 50A 150W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | IGBT 600V 50A 150W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
