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单 IGBT
栅极电荷 : 240 nC
25°C 时 Td(开/关)值 : 23ns/215ns
供应商器件封装 : -
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APT50GT120B2RDLG
Microsemi
IGBT 1200V 106A 694W T...
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APT50GT120B2RDLG
Microsemi
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