- 品牌：
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- Microsemi (3)
- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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- 已选条件：
9 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 75A 270W TO... |
1 | 1,466 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 1200V 75A 521W TO... |
1 | 126 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 1200V 75A 521W TO... |
1 | 92 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 75A TO247-3 |
1 | 6 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 650V 92A 357W TO... |
1 | 14 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 75A 270W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | INSULATED GATE B... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | INSULATED GATE B... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
