- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (5)
- ON Semiconductor (5)
- Littelfuse (8)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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41 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 1,856 | 加入询价 | |
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Littelfuse | IGBT 3000V 50A 250W TO... |
1 | 57 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 188 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 22 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 25 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IGBT 600V 50A 201.6W T... |
1 | 2 | 加入询价 | |
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Littelfuse | DISC IGBT XPT-GEN... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | IGBT 3000V 50A 250W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT STD 600V 50A TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT STD 600V 50A TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | IGBT 1200V 50A TO247 |
1 | 2,000 | 加入询价 |
