- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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3 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F DISCRETE IGB... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 15A 89W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 15A TO247A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
