- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 封装/外壳：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- IGBT 类型：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | IGBT NPT/TRENCH 1... |
1 | 196 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | IGBT600V-XITO-220AB |
1 | 761 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 30A 30W TO2... |
1 | 931 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 30A 115W D2P... |
1 | 420 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 30A 115W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 30A 220W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
