- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- IGBT 类型：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 260W TO... |
1 | 578 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 650V 30A 260W TO... |
1 | 464 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT TRENCH 650V 60... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | IGBT TRANS 600V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 60A 339W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
