- 品牌：
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- ON Semiconductor (4)
- 封装/外壳：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 65 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH/FS 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 140A 556W T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 50A TO247 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 50A 600V TO-247 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT FIELD STOP 6... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
