- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- IGBT 类型：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 450 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 186 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 446 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 1200V 67A 272W TO... |
1 | 7 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 1200V 67A 272W TM... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
