- 品牌:
-
- 封装/外壳:
-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
-
- IGBT 类型:
-
- 开关能量:
-
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-
- 反向恢复时间 (trr):
-
23 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IGBT 650V 74A 255W PG... |
1 | 1,020 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 650V 74A TO247-3 |
1 | 232 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 269 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 650V 74A TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 650V 74A TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 650V 74A TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 650V 74A 255W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 650V 74A TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IC DISCRETE 650V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IC DISCRETE 650V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 21 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 650V 74A TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 |