- 品牌：
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- Microsemi (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IGBT 600V 30A TO252-3 |
1 | 29,612 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,906 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE SWITCHE... |
1 | 1,970 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FLD 650... |
1 | 944 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 14A TO220-F... |
1 | 248 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 14A TO220-3 |
1 | 43 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 30A TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 30A TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 30A 250W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | INDUSTRY 14 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 1200V 45A 195W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | IGBT 1200V 45A 195W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 600V 30... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 30A 250W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
