- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH/FS 600... |
1 | 176 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH |
1 | 240 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A TO247-3 |
1 | 85 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 600V 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 650V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 3 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 100A 333W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 100A 333W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 650V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT PRODUCTS |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 80... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 3 CHIP 600V |
1 | 2,000 | 加入询价 |
