- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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17 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 80... |
1 | 230 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 650V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 650V T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 80... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 50A 179W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 140A 556W T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 50A 179W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 74A 278W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 600V 74... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 50A 179W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 1200V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FA... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
