- 品牌：
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- ON Semiconductor (2)
- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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22 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 250W TO... |
1 | 391 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 80... |
1 | 230 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH/FS 600... |
1 | 176 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 310W TO... |
1 | 551 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH/FS 600... |
1 | 96 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A TO247-3 |
1 | 85 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH/FS 600... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
1 | 3 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT PRODUCTS |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 80... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 250W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 80A TO264-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH/FS 600... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 |
