- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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34 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 150A TO247-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 150A TO247-... |
1 | 210 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | INDUSTRY 14 |
1 | 248 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | INDUSTRY 14 |
1 | 316 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | INDUSTRY 14 |
1 | 240 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | INDUSTRY 14 |
1 | 205 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | INDUSTRY 14 |
1 | 240 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 140A TO247-3 |
1 | 41 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | INDUSTRY 14 |
1 | 84 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 75A TO247-3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 12... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 90... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 80... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 75A FAST D... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 150A TO247-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 90A W/DIO ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 80... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 650V 100A TO247-4 |
1 | 2,000 | 加入询价 |
