- 品牌:
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- ON Semiconductor (1)
- Littelfuse (2)
- 供应商器件封装:
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- 电压 - 集射极击穿(最大值):
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- IGBT 类型:
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
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- 栅极电荷:
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- 25°C 时 Td(开/关)值:
-
- 反向恢复时间 (trr):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 25 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F IGBT / TRANSI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Littelfuse | IGBT 1200V 40A 190W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | IGBT 1000V 50A 156W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Littelfuse | IGBT 1200V 40A 190W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Sanken Electric Co., Ltd. | FIELD STOP IGBT W... |
1 | 2,000 | 加入询价 |