- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
-
- 测试条件：
-
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
-
- 开关能量：
-
- 反向恢复时间 (trr)：
-
2 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DISCRETE IGBT TR... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DISCRETE IGBT TR... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
