- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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8 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 40A 167W TO... |
1 | 587 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 40A 167W TO... |
1 | 235 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DISCRETE IGBT TR... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 1250V 40A 259W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DISCRETE IGBT TR... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 650V 40A 168W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 40A 167W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT |
1 | 2,000 | 加入询价 |
