- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
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- 栅极电荷:
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- 25°C 时 Td(开/关)值:
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- 反向恢复时间 (trr):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 75A TO247-3 |
1 | 100 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DISCRETE IGBT TR... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Littelfuse | IGBT 600V 75A 200W IS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | SHGTG40N60A4 |
1 | 2,000 | 加入询价 |