电压 - 集射极击穿(最大值):
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
GT30N135SRA,S1E Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
D-IGBT TO-247 VCES=...
1 32 加入询价
STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics
IGBT 600V 6A 48W DPA...
1 2,000 加入询价
GT30J65MRB,S1E Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
650V SILICON N-CHA...
1 2,000 加入询价
GT20N135SRA,S1E Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
D-IGBT TO-247 VCES=...
1 6 加入询价
GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
DISCRETE IGBT TR...
1 2,000 加入询价
GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
PB-F IGBT / TRANSI...
1 25 加入询价
GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
PB-F IGBT / TRANSI...
1 2,000 加入询价
GT30J341,Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
IGBT TRANS 600V 30A...
1 2,000 加入询价
GT50J341,Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
PB-F IGBT / TRANSI...
1 2,000 加入询价
GT40RR21(STA1,E Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
PB-F IGBT / TRANSI...
1 2,000 加入询价
GT40WR21,Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
DISCRETE IGBT TR...
1 2,000 加入询价
STGB20NB32LZ STMicroelectronics
IGBT 375V 40A 150W I2P...
1 2,000 加入询价
STGB3NB60SDT4 STMicroelectronics
IGBT 600V 6A 70W D2PA...
1 2,000 加入询价
STGD3NB60SD-1 STMicroelectronics
IGBT 600V 6A 48W DPA...
1 2,000 加入询价
NGTB20N60L2TF1G ON Semiconductor
IGBT 600V 20A TO3PF
1 2,000 加入询价
NGTB30N60L2WG ON Semiconductor
IGBT 600V 30A TO247
1 62 加入询价
NGTB15N60R2FG ON Semiconductor
IGBT 600V 24A TO220F-...
1 2,000 加入询价
NGTB03N60R2DT4G ON Semiconductor
IGBT 9A 600V DPAK
1 2,000 加入询价
NGTB10N60R2DT4G ON Semiconductor
IGBT 600V 20A DPAK
1 2,000 加入询价
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