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分立半导体产品
晶体管
IGBT
单 IGBT
电压 - 集射极击穿(最大值):
1000 V
(1)
1200 V
(1)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
60 A
(1)
80 A
(1)
功率 - 最大值:
455 W
(1)
463 W
(1)
测试条件:
600V,40A,5 欧姆,15V
(1)
600V,60A,50 欧姆,15V
(1)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,40A
(1)
2.9V @ 15V,60A
(1)
开关能量:
13.1mJ(开),6.3mJ(关)
(1)
5.8mJ(开),1.5mJ(关)
(1)
栅极电荷:
405 nC
(1)
510 nC
(1)
25°C 时 Td(开/关)值:
230ns/1480ns
(1)
41ns/200ns
(1)
反向恢复时间 (trr):
220 ns
(1)
465 ns
(1)
已选条件:
单 IGBT
IGBT 类型 : NPT 和沟道
供应商器件封装 : TO-264
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
GPA040A120L-ND
SemiQ
IGBT 1200V 80A 455W TO...
1
2,000
加入询价
GPA042A100L-ND
SemiQ
IGBT 1000V 60A 463W TO...
1
2,000
加入询价
GPA040A120L-ND
SemiQ
-
库存 : 2,000
询价
GPA042A100L-ND
SemiQ
-
库存 : 2,000
询价
*
型号:
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