- 品牌:
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- Microsemi (2)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
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- 栅极电荷:
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- 25°C 时 Td(开/关)值:
-
5 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Microchip Technology | IGBT 1200V 75A 521W D3... |
1 | 78 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | IGBT 1200V 75A 521W D3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | IGBT 1200V 88A 500W D3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W D3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | INSULATED GATE B... |
1 | 2,000 | 加入询价 |